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作业-PN结201511

PN 结作业题

1、 For a silicon step pn junction, the n side has a net doping of

183210D N cm ?=× and the p side has a net doping of 153510A N cm ?=×. (1) Find the junction width.

(2) Find the widths of the depletion region on the n side and on the p side respectively .

(3) What is the built-in voltage?

2、 对GaAs 材料突变PN 结,完成第1题给出的计算请求。

3、(1) 假设PN 结的N 区长度远大年夜于L p , P 区长度为W p , 并且P 区引出端处少

数载流子电子的界线浓度一向保持为0,请采取幻想模型推导该PN 结电流-电压关系式的表达情势(采取双曲函数表示)。

(2)若P 区长度远小于n L ,该PN 结电流-电压关系式的表达情势将简化为甚么

情势?

推导总电流中()n p I x ?和()p n I x 这两个电流重量之比的表达式?

假设欲望进步比值()/()n p p n I x I x ?, 应当若何调剂搀杂浓度A N 和D N 的大年夜小? 4. 对突变PN 结,若N d 大年夜于N a ,绘制反偏情况下P 区和N 区中多数载流子分布和少子电流分布表示图。

5. 已知描述二极管直流特点的三个电流参数是:S I =1410?A 、 SR I =1110?A 、

KF I =0.1A 。请采取半对数坐标纸,绘制正偏情况下幻想模型电流、势垒区复

合电流和特大年夜注入电流这三种电流表达式的I -V 曲线,并在此基本上绘制实际二极管正向电流随电压变更的曲线。

6、A one-side step n p +junction diode with 17310a N cm ?= and 19310d N cm ?=has a junction area of 2100m μ. It is known that, for the minority carrier,

6310n s τ?=×, 220/n D cm s =

(1) Please compare the junction capacitance and the diffusion capacitance under reverse bias (5a V V =?)

(2) Compare the junction capacitance and the diffusion capacitance under forward bias (0.75a V V =+)